Samsung prepara 1 TB di memoria DDR5

Nel corso dell’anno, ci sarà un importante spostamento verso il relativamente nuovo standard di memoria DDR5 nel mercato dei data center e dei server. Ciò accade in concomitanza con l’introduzione di due nuove generazioni di processori con supporto per lo standard, Xeon “Sapphire Rapids” di Intel ed Epyc “Genoa” di AMD. DDR5 offre, tra le altre cose, velocità più elevate ma anche una maggiore densità per circuito, qualcosa che Samsung ha già dimostrato rilasciando un enorme modulo di memoria da 512 GB.

Tuttavia, il colosso dell’elettronica coreano non intende fermarsi qui, poiché ha rivelato durante una presentazione congiunta con AMD sotto lo slogan “Prestazioni del server di prossima generazione” che stanno lavorando su un modulo DDR5 fino a 1 TB. Per raggiungere l’elevata capacità standard, hanno sviluppato nuovi circuiti di memoria da 32 Gb, che sono a loro volta impilati in strati di otto e interconnessi tramite TSV (Attraverso il silicio Via). Vengono utilizzati un totale di 32 pacchetti, per una capacità di 1 TB.

La società dovrebbe avere il nuovo modulo da 1 TB pronto entro l’inizio del prossimo anno, e quindi potrebbe offrire un quadruplo di capacità rispetto alle unità più grandi spedite dall’azienda per il vecchio standard DDR4. Per il 2022, 512 GB è la capacità massima per unità, poiché questi prodotti dovrebbero essere pronti per la spedizione con le nuove piattaforme di AMD e Intel.

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